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SUD50P04-23
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
I D = 30 A
2.1
I D = 15 A
8
V DS = 20 V
1. 8
V GS = 4.5 V
6
4
2
0
V DS = 10 V
V DS = 30 V
1.5
1.2
0.9
0.6
V GS = 10 V
0
10
20
30
40
50
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.7
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
10
1
0.1
0.01
0.001
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.5
0.3
0.1
- 0.1
- 0.3
I D = 250 μA
I D = 5 mA
0.00
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
200
160
120
8 0
40
0
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
200
160
120
8 0
40
0
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Case
Document Number: 74423
S-81956-Rev. B, 25-Aug-08
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